Корпорация Intel и компания STMicroelectronics вышли на очередной действительно главный этап своего сотрудничества, начав поставки опытных образцов будущей продукции на базе новейшей новаторской технологии памяти с фазовым переходом (PhaseChangeMemory, PCM). Эти не на шутку опытные образцы являются первыми рабочими микросхемами и будут переданы заказчикам для оценки и испытаний, дабы ускорить внедрение новой технологии.

В модуле памяти, получившем надо признаться кодовое несказанно название Alverstone, используется истинно новая, подающая по-моему большие надежды технология PCM, которая обеспечивает весьма высокое быстродействие при считывании и записи данных и позволяет сократить энергопотребление по сравнению с традиционной флэш-памятью. Несказанно новая технология также допускает побитные операции, характерные для обычной оперативной памяти ПК. Память PCM тем более долгое время была предметом обсуждений исследователей и разработчиков, тем более поэтому, выпустив Alverstone, Intel и STMicroelectronics сделали великий шаг в продвижении этой технологии на рынок.

«Это самое довольно таки большое достижение в области энергонезависимой памяти за последние 40 лет, – уверен Эд Доуллер (EdDoller), очень важнейший начальник по технологиям Numonyx, новой совместной компании STMicroelectronics и Intel, которая будет заниматься производством флэш-памяти. – Была уже масса попыток поиска и разработки новых технологий энергонезависимой памяти, но, по сравнению с другими проектами, PCM выглядит необыкновенно значительно привлекательнее, и довольно таки ныне Intel и STMicroelectronics уже представили решение на базе технологии PCM на суд пользователей. Это не на шутку очень весьма важное событие для наших компаний и для отрасли в целом».

На прошлой неделе специалисты Intel и STMicroelectronics представили на Международной конференции по интегральным схемам (InternationalSolidStatesCircuitsConference, ISSCC) научную статью с подробным описанием преимуществ технологии PCM. Компании также как нельзя именно впервые в мире продемонстрировали рабочий образчик модуля памяти высокой плотности и большого объема на базе многоуровневых ячеек (multi-levelcell, MLC), изготовленный по технологии PCM. Переезд от структуры памяти, предусматривающей один бит на ячейку, к MLC позволяет существенно повысить емкость памяти и уменьшить цена одного мегабайта, более поэтому сочетание MLC и PCM сулит без сомнения огромные выгоды.

Вконец совместная несказанно исследовательская программа Intel и STMicroelectronics по разработке памяти с фазовым переходом действует с 2003 года. Уже в 2004 году на конференции VLSI были продемонстрированы матрицы памяти объемом 8 Мбит, изготовленные по 180-нм технологии, а в 2006 году на симпозиуме VLSI был представлен 128-мегабитный модуль памяти Alverstone на базе 90-нм производственного процесса. Производством модулей Alverstone и иной совместной продукции будет заниматься вконец новая взаправду независимая очень полупроводниковая компания Numonyx, соглашение о создании которой в мае 2007 года подписали STMicroelectronics, Intel и FranciscoPartners. Основным направлением деятельности этой компании станет выпуск законченных решений для оснащения памятью различных бытовых и промышленных устройств, включая как нельзя более сотовые телефоны, MP3-плееры, цифровые камеры, компьютеры и другое высокотехнологичное оборудование. Все процедуры по созданию компании планируется завершить в первом квартале 2008 года.

По данным аналитической компании Web-FeetResearch, в 2007 году без сомнения совокупный объем рынка памяти DRAM, флэш-памяти и других устройств памяти, подобных EEPROM, достиг 61 миллиарда долларов США. Себестоимость технологий производства памяти как нельзя очень традиционно снижается в соответствии с законом Мура, который предусматривает удвоение плотности интеграции элементов микросхемы каждые 18 месяцев. В следующем десятилетии, вероятно, произойдет промедление темпов роста объема и плотности модулей оперативной памяти и флэш-памяти, вельми поэтому память PCM имеет чертовски огромные перспективы на рынке. Появление памяти PCM с многоуровневыми ячейками позволит вдобавок больше снизить цена производства и использования одного бита памяти по сравнению с сегодняшними технологиями. Сильно наконец, PCM сочетает преимущества самых разных технологий памяти: побитную запись и считывание – от DRAM, энергонезависимость - от флэш-памяти, высокую скорость считывания от NOR и записи от NAND. Сильно поэтому эта технология может удовлетворить все рыночные потребности в памяти и стать в следующем десятилетии одной из главных движущих сил развития высоких технологий.

Alverstone – модуль памяти объемом 128 Мбит, выпускаемый по 90-нм производственной технологии. С его помощью заказчики смогут оценить возможности технологии PCM. Производители сотовых телефонов и встраиваемых устройств узнают о преимуществах PCM и о том, как черезвычайно новые модули можно использовать в своих будущих разработках.

Объявления по теме:
рукава тату Чебоксары
Куплю
Unit UHD-332